【Now.com】要生產先進半導體晶片，光刻機是必不可少的設備，目前擁有生產光刻機技術的科企不多，荷蘭設備商ASML由早期紫外光設備起步，逐步建立深紫外光（DUV）及極紫外光（EUV）技術，而下一代就是High-NA EUV系統，向更精密晶片進發。
光刻可理解為，就是用光將電路圖案刻到矽晶圓上，光線穿過載有電路設計的光罩，經光學系統投射至塗上光阻劑的晶圓，再經之後的蝕刻等工序，形成晶片上的微細元件。光線波長愈短，可印製的線路愈精細。因此，越精細的半導體晶片，好似今天電腦所用的3nm、5nm 製程的CPU，就需要更先進，應用光線波長更短的光刻機。
DUV在90年代是主力的光刻機技術， 從248 nm（KrF）及後來的 193 nm（ArF）波長，可以刻印38nm製程。踏入千禧年代，荷蘭ASML於2003年推出首部浸沒式光刻機，利用鏡頭與晶圓之間的一層水提高數值孔徑（NA），令光學系統可在相同波長下刻印更小圖案。
為突破DUV的物理限制，ASML研發EUV光刻技術，將光源波長由193nm大幅縮短至13.5nm，以較短波長在晶圓刻印更細小的電路圖案。ASML的EUV於2020年正式進入高量產階段。資料顯示，早期EUV光刻技術的最小可刻印尺寸，由DUV的30nm以上降至13nm。
EUV技術難度極高，因為光線波長更短，極紫外光會被空氣及一般透鏡材料吸收，能夠到達晶圓上的極紫外光非常有限，設備需以高度精密的光學、真空環境運作。ASML稱，公司前後花超過20年研發才推動EUV微影系統商業化，成為全球唯一採用EUV的微影設備製造商。
ASML已著手研發下世代光刻技術，稱為High-NA EUV，取得初步成果。傳統量產EUV光刻機的數值孔徑為0.33，ASML提升至0.55的High-NA EUV，數值孔徑提高，代表系統可收集更多光線、提升解析度，進一步縮小可刻印的線路圖案。
ASML指，首部0.55 NA的EXE:5000系統可達8nm解析度，理論上可實現約2.9倍更高的電晶體密度，目標是支援2nm以下製程，應付生成式AI與高效能運算的急速需求。ASML行政總裁預計High‑NA EUV有望在2027至2028年進入高量產階段，並啟動下一步「Hyper‑NA」技術的早期研究。
Photo / ASML、AFP
