【Now.com】Samsung 在先進晶片製程 road map，決定與主要競爭對手台積電 (TSMC) 採取相近的審慎策略。外媒報道，Samsung 已決定將 ASML 新一代High NA EUV光刻機全面商業應用時間押後，預計最快要2030年，等1 nm 製程量產時才會正式引入。
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外電報道，Samsung 電子半導體研究所晶圓代工製程開發團隊高層，日前在南韓舉行的業界會議上透露，公司計劃在 1 nm 製程中，引入光刻技術的重大創新，預期於2030年前後將High-NA EUV技術正式應用到大規模生產晶圓。
ASML新一代High NA EUV光刻機能夠實現更細的電路線，有助降低功耗及提升運算速度，每部High NA EUV光刻機造價近4億美元，折合約31.2億港元。由於成本高昂及生態系統仍需時成熟，Samsung與台積電都選擇暫緩大規模採購。Samsung表明，在全面過渡至新設備前，目前的2 nm、1.4 nm，甚至早期的 1 nm製程，仍會繼續依賴現有的0.33 NA EUV設備，並配合多重曝光技術來應付生產需求。
