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【Now新聞台】內地據報在光刻機領域取得重大突破，開始生產成功自主研發的浸沒式深紫外光DUV光刻機，今年內交付給內地主要晶片製造商，挑戰荷蘭艾斯摩爾ASML的長期主導地位。
中美在科技領域角力，先進晶片是關鍵一環。美國新聞網站The Information引述知情人士報道，一家上海國資背景企業不僅成功自主研發，並進入另一階段，已開始生產由他們研發的浸沒式深紫外光DUV光刻機，今年計劃生產約5部，明年則將產量增至約20部。內地主要晶片製造商中芯國際、華虹宏力和長鑫存儲都是交付對象。
先進晶片是中美在科技領域角力關鍵一環。
光刻機是製造晶片的關鍵設備，DUV光刻機雖然未夠EUV光刻機先進，但已經可以生產7納米以上晶片，能夠滿足大多數需求。
在美國向荷蘭光刻機龍頭艾斯摩爾ASML施壓，不准向中國出口EUV光刻機，以及限制出售最先進DUV光刻機情況下，意味中國的國產替代取得突破，威脅艾斯摩爾在領域的壟斷。至於最頂尖的EUV光刻機，報道指內地亦正研發，但目前仍處於原型機階段。
《華爾街日報》報道稱華為去年舉行閉門簡報會，公布抗衡英偉達的計劃，表明有能力在三年內，在多個關鍵AI領域協助中國實現自主。
中國積極研發晶片等AI領域技術，減少對美國等外國依賴，並不斷加快步伐。《華爾街日報》早前報道，稱華為去年舉行閉門簡報會，會上公布抗衡美國行家英偉達的計劃，表明有能力在三年內，在多個關鍵AI領域協助中國實現自主。《華爾街日報》的報道稱，出席的國務院副總理丁薛祥據報會後警告多家頂尖AI企業，拒絕使用國產晶片會被視為「叛徒」。
