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華為發表半導體新理論稱能突破晶片製作限制 五年後或能製作相當於1.4納米製程晶片

華為發表半導體新理論稱能突破晶片製作限制 五年後或能製作相當於1.4納米製程晶片

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華為發表半導體新理論稱能突破晶片製作限制 五年後或能製作相當於1.4納米製程晶片

【Now新聞台】華為發表半導體的新理論,稱能夠突破目前晶片製作限制,預料秋季面世的麒麟晶片,性能將大幅提升,並在五年後製作出相當於1.4納米製程的晶片。若果屬實,將會令中國毋須最頂尖的光刻機,仍能製作出先進晶片,突破美國的科技封鎖。

華為半導體業務部總裁何庭波在上海一個研討會,正式提出「韜定律」。

華為董事、半導體業務部總裁何庭波在上海一個研討會,正式提出「韜定律」,以「時間縮微」替代「幾何縮微」,作為半導體與電子系統演進的新指導原則,即是通過邏輯折疊等創新技術,持續壓縮信號傳播延遲,不斷提升晶體管密度,從而實現半導體與電子系統的持續演進,突破主導半導體產業半個多世紀的摩爾定律面臨嚴峻的物理極限和經濟效益雙重挑戰。

華為提出「韜定律」,以「時間縮微」替代「幾何縮微」。

華為表示,「韜定律」構建了貫穿器件、電路、晶片,到系統層面的多層級協同優化體系。過去六年已根據「韜定律」成功設計並量產了381款晶片,其中將於今年秋季面世的麒麟手機晶片,率先採用邏輯折疊技術,性能大幅提升。華為預計到2031年,基於韜定律的高端晶片晶體管密度,有望達到1.4納米製程的同等水平。

外界認為若果華為的新技術確實能夠突破目前晶片製作樽頸的話,不單會大幅收窄華為與台積電在晶片製造技術的五年差距,甚至令中國在美國打壓下,即使無法獲得荷蘭光刻機生產商艾斯摩爾先進的設備,仍然能夠量產5納米以下製程的晶片。

外界認為華為的新技術若果屬實,將令中國毋須最頂尖的光刻機,仍能製作出先進晶片。

 

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